説明
技術的なパラメーター
apd アバランシェフォトダイオードは高利得の受光半導体検出器です。適切な逆バイアス電圧が印加されると、内部アバランシェ増倍効果によって光電流が増幅され、入力光生成信号を 100 倍にする典型的な最適ゲイン M=100 が達成されます。通常のPINフォトダイオードには信号増幅機能が組み込まれていません。通常のフォトダイオードでは微弱な光信号を捉えることができない微弱光検出シナリオに対して高い応答性を実現します。
アバランシェフォトダイオードは、端回路設計において正確な逆バイアスマッチングを必要とします。当社の専門的な研究開発チームは、プロジェクトレベルの技術相談が必要な場合に、APD ベースの微弱光検出回路を設計するお客様に技術リファレンスを提供できます。
技術的パラメータ
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パラメータ |
仕様 |
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材料 |
雪崩効果半導体チップ |
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最適な乗算ゲイン |
M=100 |
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逆バイアス動作条件 |
一致した逆バイアス電圧が必要 |
アプリケーション
微弱光光学検出器
微弱な入射光信号を検出する高利得受信素子。
長距離光学センシングアセンブリ
長距離光検出ハードウェア用の増幅信号光検出器。
光信号受信テストフィクスチャ
実験室レベルの微光テストジグ PCB 用の高感度アバランシェ検出器。
カスタマイズ
OEM および ODM サービスがサポートされています。製造は顧客の技術図面または物理的なプロトタイプに従って行うことができます。カスタムサンプルの開発には通常約 1 週間かかります。量産前の評価用サンプルをご用意しております。
梱包と輸送
各 apd アバランシェ フォトダイオードは帯電防止保護容器内に密封され、耐衝撃性発泡ボックス内に保管されています。箱は緩衝材を詰めた強化輸出用段ボール箱に梱包され、防水ストレッチフィルムで包まれています。静電気防止および壊れやすいという警告ラベルがカートンの外面にマークされています。取引条件 EXW、FOB、DDP がサポートされています。
よくある質問
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上一条
アバランシェ光検出ダイオード次条
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